收藏本站
TEMPERATURE CYCLE (Tables 4A ..4J)
TABLE 4A: MOSFET/IGBT single device
Date Code Low
High
Number
# Part Number or Temp.
Temp.
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test # [°C]
[°C]
Cycles
Size
1 FII50-12EL 1534 -55
2 IXBH9N160G 1574 -55
3 IXDD404SI 1913 -55
4 IXDD404SIA 1695 -55
5 IXDN75N120 1606 -40
6 IXKC13N80C 1769 -55
7 IXKC25N80C 1590 -55
8 IXKH20N60C5 2013 -40
9 IXKH70N60C5 1926 -40
10 IXKP10N60C5M 1693 -40
11 IXKP13N60C5M 1716 -55
12 IXKT70N60C5 2068 -55
13 IXUC200N055 1802 -55
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
100
50
1000
500
20
100
100
50
50
100
100
1000
90
20
20
83
30
10
20
20
20
20
20
20
20
50
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
2000
1000
83000
15000
200
2000
2000
1000
1000
2000
2000
20000
4500
TABLE 4B: MOSFET/IGBT Module
Date Code
Low
High
Number
# Part Number or
Temp.
Temp.
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
[°C]
Cycles
Size
1 MDI300-12A4 1555
2 MIAA20WD600TMH 1844
3 MII400-12E4 1741
4 MII75-12A3 1541
5 MIXA15WB1200TED 1992
6 MKI75-06A7T 1562
7 MKI75-06A7T 1724
8 MKI75-06A7T 1724
9 MKI80-06T6K 1818
10 MUBW15-12A7 1466
11 MUBW25-12T7 1896
12 MUBW75-12T8 1731
-40
-40
-40
-40
-40
-40
-40
-40
-40
-40
-40
-40
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
50
100
50
50
100
50
50
50
100
50
100
100
10
9
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
500
900
500
500
1000
500
500
500
1000
500
1000
1000
IXYS Semiconductor GmbH
16
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTQ40N50Q MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
IXTQ42N25P MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P
IXTQ44N50P MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
IXTQ460P2 MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
IXTQ470P2 MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
IXTQ480P2 MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
IXTQ50N20P MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
IXTQ50N25T MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
相关代理商/技术参数
IXTQ30N50L 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员