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TEMPERATURE CYCLE (Tables 4A ..4J)
TABLE 4A: MOSFET/IGBT single device
Date Code Low
High
Number
# Part Number or Temp.
Temp.
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test # [°C]
[°C]
Cycles
Size
1 FII50-12EL 1534 -55
2 IXBH9N160G 1574 -55
3 IXDD404SI 1913 -55
4 IXDD404SIA 1695 -55
5 IXDN75N120 1606 -40
6 IXKC13N80C 1769 -55
7 IXKC25N80C 1590 -55
8 IXKH20N60C5 2013 -40
9 IXKH70N60C5 1926 -40
10 IXKP10N60C5M 1693 -40
11 IXKP13N60C5M 1716 -55
12 IXKT70N60C5 2068 -55
13 IXUC200N055 1802 -55
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4500
TABLE 4B: MOSFET/IGBT Module
Date Code
Low
High
Number
# Part Number or
Temp.
Temp.
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
[°C]
Cycles
Size
1 MDI300-12A4 1555
2 MIAA20WD600TMH 1844
3 MII400-12E4 1741
4 MII75-12A3 1541
5 MIXA15WB1200TED 1992
6 MKI75-06A7T 1562
7 MKI75-06A7T 1724
8 MKI75-06A7T 1724
9 MKI80-06T6K 1818
10 MUBW15-12A7 1466
11 MUBW25-12T7 1896
12 MUBW75-12T8 1731
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IXYS Semiconductor GmbH
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IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube